ASML 常规 EUV 光刻机排满到 2027 年

下一代单价约 4 亿美元的 High NA 设备，则迎来一串客户承诺。首席执行官 Christophe Fouquet 对路透说，他不认为这一轮由人工智能拉动的设备扩张已经结束。

台积电曾质疑约 4 亿美元单价是否划算，现已承诺自 2030 年起采用 High NA。三星电子把存储器量产节点定在 2028 年；SK 海力士同样指向 2028 年；美光已下单，但未公布量产时点。英特尔在路透发稿前的周二称，High NA 机台累计处理晶圆已超过 100 万片。摩根大通估计，ASML 在 2025 年全球光刻设备份额约 94%。

EUV 是 7 nm 以下先进制程的关键设备，AI 加速器与 HBM 都依赖这些节点，光刻机排期因此是先进芯片产能的前置指标。中国大陆晶圆厂受出口管制无法采购 EUV，国产 AI 芯片在先进制程上只能走 DUV 多重曝光等路线，产能与良率都受制约。