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芯片与加速NVIDIA

英伟达称形貌仿真最高加快 35 倍

英伟达 11 月 3 日公布一批晶圆厂仿真加速结果。应用材料的形貌计算最高到 35 倍,西门子光刻软件的关键负载最高到 17 倍,都是合作方给出的上限。

英伟达称形貌仿真最高加快 35 倍
形貌仿真上限
35 倍
光刻负载上限
17 倍
Ginestra 对 CPU
10 倍
等离子体预估
毫秒级

英伟达 11 月 3 日列出 COMSOL、应用材料、西门子、泛林和爱德万的晶圆仿真案例。案例覆盖多物理场、材料与形貌、计算光刻、等离子体,以及测试现场如何挑选模型。

COMSOL 用 cuDSS 跑半导体多物理场仿真,最高到原来的 10 倍,博客没有单列对照基线。应用材料的 Ginestra 接上同一库,相对只跑 CPU 的算法最高到 10 倍。形貌平台 ACE+ 配 PhysicsNeMo,最高到 35 倍,这一档也没有单列基线。

计算光刻负责把电路图形印到硅片上,CPU 按量产节奏算不完。西门子把 cuLitho 接进 Calibre,关键仿真负载最高到 17 倍。泛林用 PhysicsNeMo 预估刻蚀等离子体:完整求解要数天,预估可以在毫秒内给出。

爱德万在测试现场用 NeMo Switchyard 决定调用哪一个模型,耗时从数小时缩到数分钟。应用材料还用 Omniverse 库做整座晶圆厂的数字孪生,看物料路径、瓶颈、布局和运行策略,并估算产量与成本。

上述倍数都出在英伟达 11 月 3 日的技术博客,是各家在点名工序上的上限,不是第三方用同一套用例测出的。博客没有给出加速卡型号和集群规模。工程师仍要决定哪一版改动进产线,上机试验还得做。

晶圆厂试错贵在机时和晶圆,算得快只缩短选方案的时间,不改变光刻机、刻蚀机和材料能不能买到。这些库跑在英伟达软件栈上。国产产线若用另一套加速卡,倍数不会跟着搬过去;验收仍看本机算子、编译器和实测,不能把合作方的上限当成到货指标。

TAGS#英伟达#晶圆制造#仿真#应用材料