Renesas 发布 650V 双面冷却 GaN

Renesas 推出型号 TP65H020G4PLSGBD 的氮化镓开关，给兆瓦级机柜做高压直流功率转换。双面冷却的 PQFN 封装边长 8 mm。厂商把 650 V 与这种封装的组合称为业界首款。样品已交给主要 AI 数据中心设备的 OEM 与 ODM，新闻稿日期是 9 月 30 日。

它用在 800 V 降到 48 V、12 V 或 6 V 的中间母线，也包括电池备份和电容备份。量产计划放在 2027 年年中。2026 年 10 月 12 日至 15 日，公司将在圣何塞的 OCP Global Summit 上展示这颗器件。

一套 6 kW、800 V 转 48 V 的 LLC 直流变压器参考设计，功率密度为 2.6 kW/in³。公司自测，满载效率比同等的 TOLT 板大约高 0.21%。更小的封装省出电路板面积，也让各开关管的走线更齐。12 V 与 6 V 的中间母线参考设计同样用了这颗器件。

功率往兆瓦走时，电源仓的面积和热阻会先成为限制。国内算力采购通常把加速卡和供电拆开招标，电源侧比的是母线电压、转换效率和能装进机柜的板面积。800 V 高压直流是其中一种母线做法；这颗器件对应的是中间母线上的散热和占地。