应用材料宣布与英特尔合作，加快晶体管、互连和先进封装三类技术的研发节奏，服务 AI 计算。人员分处应用材料位于硅谷的 EPIC 中心，以及英特尔在俄勒冈州 Hillsboro 的研发园区。通稿于 2026 年 10 月 6 日经商业通讯社 GlobeNewswire 发出。
两边已经在做面向 AI 负载的先进逻辑节点，内容是材料、工艺和器件架构，并会在 EPIC 中心接着做。合作同时覆盖前道 FEOL 和后道 BEOL，后道包括互连如何继续缩小。封装部分针对基于 Foveros 的三维堆叠。目标是更高的互连密度，以及更好的供电和热性能，用来承接智能体负载。
应用材料首席执行官 Gary Dickerson 说，双方做材料工程已有几十年。把团队放进 EPIC 中心，是为了加快晶体管、互连和封装。半导体产品集团总裁 Prabu Raja 称，英特尔是这处中心的创始伙伴，合作要缩短开发周期。
英特尔首席执行官 Lip-Bu Tan 说，AI 计算把性能、能效和封装一起往前推。他期待在 EPIC 中心把实验室成果更快送进美国的大规模制造。英特尔代工负责人 Naga Chandrasekaran 说，客户要的技术和代工服务，都要求研发跟上 AI 基础设施的铺开速度。这处中心让两边协作得更紧，材料开发和工艺试验可以加快。
中心按设备、工艺创新和商业化来组织，声明称计划在 2026 年具备运营条件。芯片厂可以更早接触应用材料的研发组合，试验循环更短，并在安全的协作环境里把下一代技术转进大规模制造。联合项目还会让应用材料看到多个工艺节点的需求，用来安排研发投入。声明没有给出投资金额，也没有点名量产节点。
晶体管继续缩小、互连变细、芯片改成三维堆叠，是 AI 加速卡在功耗和带宽上同时吃紧的三处。设备厂和晶圆厂把配方合作放到量产线以外，节点名称还没公布时就能先对齐材料和封装。国内采购能对照的是互连密度、供电和散热，不是某一颗尚未公布的工艺代号；国产先进封装的产能和良率仍要单独谈，这份合作没有改设备或封测报价。
