台积电 11 月 7 日称核心仍是逻辑代工

前一天，美国科技媒体 The Information 引两名知情人士的话，说台积电已按英伟达的要求开始筹备 3D DRAM。牵头人被指为先进封装技术发展副总经理徐国晋，他曾任台湾美光董事长。发言人没有提到这项计划，也没有说做还是不做。

知情人士点出的一条路，是收购一家自带产线的小型特色存储厂。量产时间、投资额和厂址都没有给出。

3D DRAM 在存储工艺里把单元竖着叠，同一片晶圆放下更多容量。高带宽内存是把多颗 DRAM 晶粒叠起来，底下垫一颗逻辑基底。台积电与 SK 海力士在 2024 年合作，由台积电做下一代高带宽内存的逻辑基底。

两种叠法不是同一件事。封装侧能接上的，是已经做好的晶粒。存储单元本身仍要存储厂的工艺和专利。

国产加速卡的合同经常先卡在显存规格和供货月份，而不是峰值算力。高带宽内存颗粒仍集中在三星、SK 海力士和美光。短缺时开工的产线，下一轮过剩先掉毛利，交期对不上的采购单也不会因一句代工表态改配。